Схема замещения транзистора в ключевом режиме

схема замещения транзистора в ключевом режиме
Величина безразмерная, просто «во сколько раз». β ≥ Iк/Iб Даже если ток базы будет больше, чем требуется, беды особой нет: транзистор все равно не сможет открыться больше. На то он и режим насыщения. Существенной особенностью такого СИТ транзистора является возможность значительного снижения сопротивления ка­нала Rca в проводящем состоянии пропусканием тока затвора при его прямом смещении. Один тразистор имеет заряд и условно он является единицей.


Если транзистор переключается реже, то этот коэффициент считается равным единице. Особенность её в том, что у неё низкое входное сопротивление, и согласовать такой каскад по входу сложно. Наиболее широкое применение в качестве электронных ключевых элементов находят, транзисторные каскады, в первую очередь каскад с общим эмиттером (ОЭ). Рас­смотрим работу такого каскада (рис. 3.4, а) в ключевом режиме. Выше на схеме пример работы транзистора в усилительном режиме. На приведенном ниже рисунке изображена схема включения транзистора в ключевом режиме:Схема транзистора в ключевом режиме Существуют транзисторы, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, называются они фототранзисторы.

Крутить базу, конечно, не надо, может оторваться. А вот подать на нее некоторое напряжение относительно эмиттера, конечно, можно. Дело в том, что если база будет «висеть в воздухе», воздействие всяческих помех на нее просто гарантировано, особенно, если провод до кнопки достаточно длинный. Требования к импульсу управления такие же, как и для тиристора. Опыт в электронике у меня не малый, но говоря об этой схеме включения транзистора, я извините, ничего не знаю!

Похожие записи: